بررسی تغییرات ضریب دی الکتریک در بلور مایع های خالص و آمیخته شده با نانو ذرات مغناطیسی

هدف از این کار تجربی، ارائه و بررسی نتایج حاصل از اندازه گیری مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک در بلور های مایع خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی با درصدهای متفاوت، بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان است. به این منظور مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک را برای یک بلور مایع خاص (e7 )، در حالت خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی، اندازه گیری می کنیم. برای این کار مولفه های موازی و عمودی هر یک از نمونه ها برای سلول هایی با جهت دهی به ترتیب عمودی و موازی در بازه ی دمایی فاز همسانگرد -نماتیک و با استفاده از روش lcr متری اندازه گیری شدند. برای جهت دهی موازی سلول ها، محلول pva و برای جهت دهی عمودی، محلول لیسیتین به کار برده شد. تغییرات دمایی ثابت دی الکتریک اندازه گیری شده بدون اعمال میدان مغناطیسی و نیز تحت اعمال میدان در دمای ثابت اتاق با اعمال فرکانس 100 کیلو هرتز بدست آمد. نتایج تجربی بدست آمده مربوط به مقادیر ثابت دی الکتریک در حالت خالص و آمیخته به نانو ذرات نشان می دهند که اضافه کردن نانو ذرات به بلور مایع باعث افزایش ثابت دی الکتریک می گردد. تغییرات ثابت دی الکتریک در هر یک از درصدهای نانو ذرات اضافه شده، رفتار متفاوتی را نشان می دهند. تغییرات ثابت دی الکتریک در حضور میدان مغناطیسی نیز رفتار متفاوتی در هر یک از نمونه ها دارد. این امر بستگی به پارامتر های مختلف از جمله: خاصیت ناهمسانگردی مثبت بلور مایع، خاصیت مغناطیسی نانو ذرات، میدان مغناطیسی، جهت دهی اولیه و نظم مولکول های بلور مایع و نانو ذرات در هر یک از نمونه ها دارد. در حالت کلی افزایش نانو ذرات هم در حضور میدان و هم بدون اعمال میدان مغناطیسی، باعث افزایش ثابت دی الکتریک نسبت به حالت خالص می گردد. روند افزایش ثابت دی الکتریک نمونه ها بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان ، با توجه به تأثیر پارامترهای ذکر شده در بالا برای درصدهای مختلف نانو ذرات در بلور مایع متفاوت بودند که در این کار پژوهشی، روند تغییرات آنها را به طور دقیق مورد بررسی قرار خواهیم داد.